高低溫循環(huán)測(cè)試(又名高低溫循環(huán)試驗(yàn)、高低溫試驗(yàn)等)主要是針對(duì)于電工、電子產(chǎn)品，以及其原器件，及其它材料在高溫、低溫的環(huán)境下貯存、運(yùn)輸，使用時(shí)的適應(yīng)性試驗(yàn)。

高低溫循環(huán)測(cè)試是指設(shè)定溫度從-50℃保持4個(gè)小時(shí)后，升溫到 +90℃，然后，在+90°保持4個(gè)小時(shí)，降溫到-50℃，依次做N個(gè)循環(huán)。

工業(yè)級(jí)溫度標(biāo)準(zhǔn)為-40℃ ~+85℃，因?yàn)闇叵渫ǔ?huì)存在溫差，為保證到客戶端不會(huì)因?yàn)闇囟绕顚?dǎo)致測(cè)試結(jié)果不一致，內(nèi)部測(cè)試建議使用標(biāo)準(zhǔn)溫度±5℃C溫差來測(cè)試.

測(cè)試流程:

1、在樣品斷電的狀態(tài)下，先將溫度下降到-50℃，保持4個(gè)小時(shí);請(qǐng)勿在樣品通電的狀態(tài)下進(jìn)行低溫測(cè)試，非常重要，因?yàn)橥姞顟B(tài)下，芯片本身就會(huì)產(chǎn)生+20℃以上溫度，所

以，在通電狀態(tài)下，通常比較容易通過低溫測(cè)試，必須先將其“凍透"，再次通電進(jìn)行測(cè)試。

2、開機(jī)，對(duì)樣品進(jìn)行性能測(cè)試，對(duì)比性能與常溫相比是否正常。

3、進(jìn)行老化測(cè)試，觀察是否有數(shù)據(jù)對(duì)比錯(cuò)誤。

4、升溫到+90℃，保持4個(gè)小時(shí)，與低溫測(cè)試相反，升溫過程不斷電，保持芯片內(nèi)部的溫度一直處于高溫狀態(tài)，4個(gè)小時(shí)后，執(zhí)行2、3、4測(cè)試步張。

5、高溫和低溫測(cè)試分別重復(fù)10次。

如果測(cè)試過程出現(xiàn)任何一次不能正常工作的狀態(tài)，則視為測(cè)試失敗。

參考標(biāo)準(zhǔn):

GB/T2423.1-2008試驗(yàn)A:低溫試驗(yàn)方法

GB/T2423.2-2008試驗(yàn)B:高溫試驗(yàn)方法